Биполярный транзистор 2N366 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2N366
Тип материала: Ge
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.5 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO22
- подбор биполярного транзистора по параметрам
2N366 Datasheet (PDF)
2n3663.pdf

2N3663B TO-92CENPN RF TransistorThis device is designed for use as RF amplifiers, oscillators andmultipliers with collector currents in the 1.0 mA to 30 mA range.Sourced from Process 43. See PN918 for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 12 VV Collector-Base Voltage 30 VCBO
2n3665.pdf

2N3665Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 8.51 (0.34)9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305)8.51 (0.335)Metal Package. 6.10 (0.240)6.60 (0.260)Bipolar NPN Device. 0.89max.(0.035)12.70(0.500)min. 0.41 (0.016)0.53 (0.021)VCEO = 80V dia.IC = 1.0A 5.08 (0.200)typ.2.54All Semelab hermetically sealed products 2(0.100) 1
2n3667.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor 2N3667DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaLow Collector-Emitter Saturation Voltage100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operation.APPLICATIONSDesigned for general purpose high power switch andamplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALU
Другие транзисторы... 2N3643 , 2N3644 , 2N3645 , 2N3646 , 2N3647 , 2N3648 , 2N365 , 2N3659 , TIP35C , 2N3660 , 2N3661 , 2N3662 , 2N3663 , 2N3664 , 2N3665 , 2N3666 , 2N3667 .
History: FTC1815 | 1DI200K-055 | LDTA114TET1G | LBC857ATT1G | 2DD1766Q | LBC817-40WT3G | KT805AM
History: FTC1815 | 1DI200K-055 | LDTA114TET1G | LBC857ATT1G | 2DD1766Q | LBC817-40WT3G | KT805AM



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc461 | hy1906 | 2sc2238 | 2sc458 transistor | b649a transistor | 2sa606 | 2n3644 | 2sc2240bl