2N3666 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N3666  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO5

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N3666

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N3666 даташит

 9.1. Size:299K  fairchild semi
 2n3663.pdf pdf_icon

2N3666

2N3663 B TO-92 C E NPN RF Transistor This device is designed for use as RF amplifiers, oscillators and multipliers with collector currents in the 1.0 mA to 30 mA range. Sourced from Process 43. See PN918 for characteristics. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 12 V V Collector-Base Voltage 30 V CBO

 9.2. Size:229K  no
 2n3668.pdf pdf_icon

2N3666

 9.3. Size:11K  semelab
 2n3665.pdf pdf_icon

2N3666

2N3665 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) Bipolar NPN Device. 0.89 max. (0.035) 12.70 (0.500) min. 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) VCEO = 80V dia. IC = 1.0A 5.08 (0.200) typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1

 9.4. Size:181K  inchange semiconductor
 2n3667.pdf pdf_icon

2N3666

isc Silicon NPN Power Transistor 2N3667 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area Low Collector-Emitter Saturation Voltage 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for general purpose high power switch and amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALU

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N3659, 2N366, 2N3660, 2N3661, 2N3662, 2N3663, 2N3664, 2N3665, TIP35C, 2N3667, 2N367, 2N3671, 2N3672, 2N3673, 2N3675, 2N3676, 2N3677