2N367 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N367  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO22

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N367

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N367 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: 2N3660, 2N3661, 2N3662, 2N3663, 2N3664, 2N3665, 2N3666, 2N3667, 8050, 2N3671, 2N3672, 2N3673, 2N3675, 2N3676, 2N3677, 2N3678, 2N368