Справочник транзисторов. FMMT4140

 

Биполярный транзистор FMMT4140 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: FMMT4140
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO236

 Аналоги (замена) для FMMT4140

 

 

FMMT4140 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:376K  diodes
fmmt413.pdf

FMMT4140
FMMT4140

FMMT413 NPN AVALANCHE TRANSISTOR IN SOT23 Features Mechanical Data Avalanche Transistor Case: SOT23 50A Peak Avalanche Current (Pulse width = 20ns) Case Material: Molded Plastic. Green Molding Compound. BVCES > 150V UL Flammability Classification Rating 94V-0 BVCEO > 50V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Specifically designed for Av

 8.2. Size:27K  diodes
fmmt4126.pdf

FMMT4140

SOT SI I O A A T 6S IT HI T A SISTO ISS A H T I D T I A SO T A I ATI S T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V i II I Di i i T i T T T T I A HA A T ISTI S a Ta T I IT DITI II V V I V I II i V V I V I i V V I V I II I V V i I V V II i V V I I i V I i V V I I i V I i I V V T i I V V T i i T I V V i V V I

 8.3. Size:27K  diodes
fmmt4124.pdf

FMMT4140

SOT SI I O A A T S IT HI T A SISTO ISS A H T I D T I A SO T A I ATI S T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V i II I Di i i T i T T T T I A HA A T ISTI S a Ta T I IT DITI II V V I V I II i V V I V I i V V I V I II I V V i I V V II i V V I I i V I i V V I I i V I i I V V T i I V V T i i T I V V i V V I

 8.4. Size:27K  diodes
fmmt4125.pdf

FMMT4140

SOT SI I O A A T S IT HI T A SISTO ISS A H T I D T I DA SO T A I ATI S T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V i II I Di i i T i T T T T I A HA A T ISTI S a Ta T I IT DITI II V V I V I II i V V I V I i V V I V I II I V V i I V V II i V V I I i V I i V V I I i V I i I V V T i I V V T i i T I V V i V V I

 8.5. Size:27K  diodes
fmmt4123.pdf

FMMT4140

SOT SI I O A A T S IT HI T A SISTO ISS A H T I D T I A SO T A I ATI S T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V i II I Di i i T i T T T T I A HA A T ISTI S a Ta T I IT DITI II V V I V I II i V V I V I i V V I V I II I V V i I V V II i V V I I i V I i V V I I i V I i I V V T i I V V T i i T I V V i V V I

 8.6. Size:534K  diodes
fmmt415 fmmt417.pdf

FMMT4140
FMMT4140

FMMT415 FMMT417 NPN AVALANCHE TRANSISTOR IN SOT23 Features Mechanical Data Avalanche Transistor Case: SOT23 60A Peak Avalanche Current (Pulse width = 20ns) Case Material: Molded Plastic. Green Molding Compound. BVCES > 260V (415) & 320V (417) UL Flammability Classification Rating 94V-0 BVCEO > 100V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020

 8.7. Size:386K  htsemi
fmmt4124.pdf

FMMT4140

FMMT4124TRANSISTOR (NPN) SOT23 FEATURES Switching Application MARKING:ZC 1. BASE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 2. EMITTER Symbol Parameter Value Unit 3. COLLECTOR V Collector-Base Voltage 30 V CBOV Collector-Emitter Voltage 25 V CEOV Emitter-Base Voltage 5 V EBOIC Collector Current 200 mA PC Collector Power Dissipation 330 mW R T

 8.8. Size:134K  zetex
fmmt413.pdf

FMMT4140
FMMT4140

FMMT413SOT23 NPN silicon planar avalanche transistorSummaryV(BR)CES = 150V, V(BR)CEO = 50V, IUSB = 25ADescriptionThe FMMT413 is a NPN silicon planar bipolar transistor optimized foravalanche mode operation. Tight process control and low inductancepackaging combine to produce high current pulses with fast edges, idealfor laser diode driving.FeaturesC Avalanche mode opera

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

 

 
Back to Top