Биполярный транзистор FMMT5447 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FMMT5447
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: TO236
FMMT5447 Datasheet (PDF)
fmmt549.pdf
August 2009FMMT549PNP Low Saturation TransistorFeatures ThIs device is designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 2A continuous. Sourced from process PB.32SuperSOT-231Marking : 5491. Base 2. Emitter 3. CollectorAbsolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitVCEO Collector-Emi
fmmt549 fmmt549a.pdf
A Product Line ofDiodes IncorporatedFMMT549 / FMMT549A 30V PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR IN SOT23 Features and Benefits Mechanical Data BVCEO > -30V Case: SOT23 Maximum Continuous Collector Current IC = -1A UL Flammability Rating 94V-0 500mW power dissipation Case material: molded Plastic. Complementary type: Moisture Sensitivity: L
fmmt5400 fmmt5401.pdf
SOT SI I O A A T 00HI H O TA T A SISTO S T 0 ISS O 6 T I D T I T T T T T T T T A SO T A I ATI S T T T IT II V I V V II i V I V V i V I V V i II I Di i i T i T T T T I A HA A T ISTI S a Ta T T T I I IT DITI II V V I V I II i V V I V I i V V I V I II I V V V V T V V V V T i I V V T 8 I V V
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , A1015 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
