Биполярный транзистор FMMT5550R - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FMMT5550R
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для FMMT5550R
FMMT5550R Datasheet (PDF)
fmmt5550 fmmt5551.pdf
SOT SI I O A A T 0HI H O TA T A SISTO S T ISS O 6 T I D T I T T T T T T T T A SO T A I ATI S T T T IT II V I V 8 V II i V I V V i V I V V i II I Di i i T i T T T T I A HA A T ISTI S a Ta T T T I I IT DITI II V 8 V I V I II i V V I V I i V V I V I II I V V V V T V VV V T i 8 I V V T 8 I V V
fmmt555.pdf
SOT23 PNP SILICON PLANARFMMT555MEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 4 AUGUST 2003FEATURES* 150 Volt VCEO* 1 Amp continuous currentEC=IB2=IC/10COMPLEMENTARY TYPE FMMT455tfnsB1000PARTMARKING DETAIL 555800600tdns SOT23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.400 100PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT200 500 0Collector-Base Voltage VCBO -160 V-1Collector-Emitter Vo
fmmt558.pdf
A Product Line ofDiodes Incorporated FMMT558400V PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR IN SOT23 Features Mechanical Data BVCEO > -400V Case: SOT23 IC = -150mA high Continuous Collector Current Case material: molded plastic. Green molding compound. ICM = -500mA Peak Pulse Current UL Flammability Rating 94V-0 500mW Power Dissipation Moisture Sensitivity:
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
