2SB1561-Q. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SB1561-Q
Маркировка: BLQ_BL-QN
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 23 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 45
Корпус транзистора: SOT89
Аналоги (замена) для 2SB1561-Q
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SB1561-Q даташит
2sb1561-q.pdf
Product specification 2SB1561-Q SOT-89 Unit mm +0.1 +0.1 4.50-0.1 1.50-0.1 Features +0.1 1.80-0.1 Collector Current Capability IC=-2A Collector Emitter Voltage VCEO=-60V 2 3 Low saturation Voltage typically 1 +0.1 +0.1 +0.1 0.48-0.1 0.53-0.1 0.44-0.1 VCE (SAT)=-0.15Vat IC/IB=-1A/-50mA 1. Base 1. Source 1 Base +0.1 3.00-0.1 2 Collector 2. Collector 2. Drai
2sb1561.pdf
2SB1561 Datasheet Middle Power Transistor (-60V/-2A) lOutline l SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO -60V IC -2A MPT3 lFeatures lInner circuit l l 1)Low saturation voltage, tipically VCE(sat)=-150mV at IC/IB=-1A/-50mA. 2)Collector-emitter voltage=-60V 3)PD=2W (Mounted on a ceramic board (40 40 0.7mm) ). 4)Complementary NPN Types
st2sb1561u.pdf
ST 2SB1561U PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor Medium Power Transistor Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 ) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 60 V Collector Emitter Voltage -VCEO 60 V Emitter Base Voltage -VEBO 6 V Collector Current - DC -IC 2 A Collector Current - Pulse 1) -ICP 6 0.5 Total Power Dissipation Ptot W 2 2) Junction Temperature T
2sb1561.pdf
SMD Type Transistors PNP Transistors 2SB1561 SOT-89 Unit mm 1.70 0.1 Features Collector Current Capability IC=-2A Collector Emitter Voltage VCEO=-60V Complements the 2SD2391 0.42 0.1 0.46 0.1 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -60 Collector - Emitter Voltage VCEO -
Другие транзисторы: FMMT930R, FMMTA05, 2SB1569, FMMTA05R, FMMTA06, 2SB1567, FMMTA06R, FMMTA12, 2N3906, FMMTA13, 2SB1551, 2SB1412-P, FMMTA20, 2SB1550, FMMTA20R, 2SB1507, FMMTA42
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irf640n datasheet | irf540 datasheet | irf530 | 2n3565 | irf530n | pn2222a datasheet | tip41c transistor | 2n5087




