Справочник транзисторов. FN1L3N

 

Биполярный транзистор FN1L3N - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: FN1L3N
   Маркировка: M82
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35
   Корпус транзистора: TO236

 Аналоги (замена) для FN1L3N

 

 

FN1L3N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:162K  nec
fn1l3n.pdf

FN1L3N
FN1L3N

 9.1. Size:155K  nec
fn1l3m.pdf

FN1L3N
FN1L3N

 9.2. Size:179K  nec
fn1l3z.pdf

FN1L3N
FN1L3N

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

 

 
Back to Top