FOS100. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FOS100

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для FOS100

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FOS100 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: FN1F4N, FN1F4Z, FN1L3M, FN1L3N, FN1L3Z, FN1L4L, FN1L4M, FN1L4Z, 2SC828, FOS101, FOS102, FOS104, FP5010, FP50201, FP50301, FP50401, FP50501