2N3700 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N3700  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO18

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N3700

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N3700 даташит

 ..1. Size:109K  st
2n3700.pdfpdf_icon

2N3700

2N3700 General purpose amplifiers Description The 2N3700 is silicon planar epitaxial NPN transistor in Jedec TO-18 metal case. It is intended for small signal, low noise industrial applications. TO-18 Internal schematic diagram Order codes Part Number Marking Package Packing 2N3700 2N3700 TO-18 Bag November 2006 Rev 2 1/7 www.st.com 7 Electrical ratings 2N3700 1 Electrical ratin

 ..2. Size:108K  central
2n3700 2n3701.pdfpdf_icon

2N3700

DATA SHEET 2N3700 2N3701 NPN SILICON TRANSISTOR JEDEC TO-18 CASE DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3700 and 2N3701 NPN Silicon Transistors are designed for high current general purpose amplifier applications. MAXIMUM RATINGS (TA=25 C) 2N3700 SYMBOL 2N3701 UNITS Collector-Base Voltage VCBO 140 V Collector-Emitter Voltage VCEO 80 V Emitter-Base Voltage VEBO 7.0 V

 ..3. Size:256K  cdil
2n3700 01.pdfpdf_icon

2N3700

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS 2N3700 2N3701 TO-18 General purpose amplifier ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 140 V Collector -Emitter Voltage VCEO 80 V Emitter -Base Voltage VEBO 7.0 V Collector Current IC 1.0 A Power Dissipation @

 ..4. Size:71K  microsemi
2n3019 2n3057 2n3700.pdfpdf_icon

2N3700

TECHNICAL DATA LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/391 Devices Qualified Level 2N3019 2N3057A 2N3700 JAN 2N3019S 2N3700S JANTX JANTXV JANS MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol Value Units Collector-Emitter Voltage 80 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 140 Vdc VCBO TO-39* (TO-205AD) Emitter-Base Voltage 7.0 Vdc VEBO 2N3019, 2N3019S Collector

Другие транзисторы: 2N369, 2N3690, 2N3691, 2N3692, 2N3693, 2N3694, 2N37, 2N370, D965, 2N3700CSM, 2N3700DCSM, 2N3700UB, 2N3701, 2N3702, 2N3703, 2N370-33, 2N3704