FT107C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FT107C

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.26 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 280 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 2000

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для FT107C

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FT107C даташит

 9.1. Size:118K  motorola
 mmft107t1rev3x.pdf pdf_icon

FT107C

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMFT107T1/D MMFT107T1 Medium Power Field Effect Motorola Preferred Device Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS MEDIUM POWER TMOS FET SOT 223 for Surface Mount 250 mA, 200 VOLTS RDS(on) = 14 OHM MAX This TMOS medium power field effect transistor is designed for high speed, low loss power switchi

 9.2. Size:78K  onsemi
 mmft107t1.pdf pdf_icon

FT107C

MMFT107T1 Preferred Device Power MOSFET 250 mA, 200 Volts N Channel SOT 223 This Power MOSFET is designed for high speed, low loss power switching applications such as switching regulators, dc dc converters, http //onsemi.com solenoid and relay drivers. The device is housed in the SOT 223 package which is designed for medium power surface mount 250 mA applications. 200 VOLTS

Другие транзисторы: FT024, FT025, FT026, FT027, FT052, FT053, FT107A, FT107B, BC547B, FT118, FT1210, FT123, FT1310, FT1315, FT1324, FT1324B, FT1324C