Биполярный транзистор FT107C - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FT107C
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.26 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 280 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2000
Корпус транзистора: TO18
FT107C Datasheet (PDF)
mmft107t1rev3x.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMFT107T1/DMMFT107T1Medium Power Field EffectMotorola Preferred DeviceTransistorNChannel EnhancementModeSilicon Gate TMOSMEDIUM POWERTMOS FETSOT223 for Surface Mount250 mA, 200 VOLTSRDS(on) = 14 OHM MAXThis TMOS medium power field effect transistor is designed forhigh speed, low loss power switchi
mmft107t1.pdf
MMFT107T1Preferred DevicePower MOSFET250 mA, 200 VoltsNChannel SOT223This Power MOSFET is designed for high speed, low loss powerswitching applications such as switching regulators, dcdc converters,http://onsemi.comsolenoid and relay drivers. The device is housed in the SOT223package which is designed for medium power surface mount250 mAapplications.200 VOLTS
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050