Справочник транзисторов. FT50

 

Биполярный транзистор FT50 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FT50
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO220
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

FT50 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:104K  ixys
 ixfh42n20 ixfm42n20 ixfh58n20 ixfm58n20 ixft50n20 ixfh50n20 ixfm50n20 ixft58n20.pdf pdf_icon

FT50

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMPower MOSFETs 200 V 42 A 60mWIXFH/IXFM42N20200 V 50 A 45mWIXFH/IXFM/IXFT50N20200 V 58 A 40mWIXFH/IXFT58N20N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsHigh dv/dt, Low trr, HDMOSTM FamilyTO-247 AD (IXFH)(TAB)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 200 V TO-268 (D3) Case StyleVG

 0.2. Size:294K  ixys
 ixft50n85xhv ixfh50n85x ixfk50n85x.pdf pdf_icon

FT50

X-Class HiPerFETTM VDSS = 850VIXFT50N85XHVPower MOSFET ID25 = 50AIXFH50N85X RDS(on) 105m IXFK50N85XTO-268HV (IXFT)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedGFast Intrinsic DiodeS D (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 850 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 850 VVGSS Co

 0.3. Size:102K  ixys
 ixft50n20.pdf pdf_icon

FT50

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMPower MOSFETs 200 V 42 A 60mWIXFH/IXFM42N20200 V 50 A 45mWIXFH/IXFM/IXFT50N20200 V 58 A 40mWIXFH/IXFT58N20N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsHigh dv/dt, Low trr, HDMOSTM FamilyTO-247 AD (IXFH)(TAB)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 200 V TO-268 (D3) Case StyleVG

 0.4. Size:184K  ixys
 ixfh50n60x ixfq50n60x ixft50n60x.pdf pdf_icon

FT50

Preliminary Technical InformationX-Class HiPerFETTM VDSS = 600VIXFT50N60XPower MOSFET ID25 = 50AIXFQ50N60X RDS(on) 73m IXFH50N60XN-Channel Enhancement ModeTO-268 (IXFT)Avalanche RatedFast Intrinsic DiodeGSD (Tab)TO-3P (IXFQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 600 VDVDGR TJ = 25C to 1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: BFS91A | CSD2495 | AF101V | BFG96 | TD366 | TIP112G

 

 
Back to Top

 


 
.