Биполярный транзистор FXT458
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FXT458
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Аналоги (замена) для FXT458
FXT458
Datasheet (PDF)
..1. Size:26K diodes
fxt458.pdf 
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER FXT458HIGH VOLTAGE TRANSISTORISSUE 1 SEPTEMBER 1994 T V I V i T T 8 E-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C). T I T IT DITI II V V I V I II i V V I V I i V V I V I II I
9.1. Size:25K diodes
fxt455.pdf 
NPN SILICON PLANARFXT455MEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 1 SEPT 93 T V I V i E-Line T T TO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I i i V I i V V I I V I II I V V
9.2. Size:25K diodes
fxt450.pdf 
NPN SILICON PLANARFXT450MEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 1 SEPT 93 T V I V i E-Line T T TO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I i i V I i V V I I V I II I V V
9.3. Size:25K diodes
fxt453.pdf 
NPN SILICON PLANARFXT453MEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 1 SEPT 93 T V I V i T T E-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I i i V I i V V I I V I II I V V
9.4. Size:25K diodes
fxt451.pdf 
NPN SILICON PLANARFXT451MEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 1 SEPT 93 T V I V i E-Line T T TO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V 8 V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C). T I T IT DITI II V 8 V I I V I II i V V I I i i V I i V V I I V I II I
Другие транзисторы... 2SA1803O
, 2SA1803R
, 2SA1804
, 2SA1804O
, 2SA1804R
, 2SA1805
, 2SA1805O
, 2SA1805R
, TIP42
, 2SA181
, 2SA1810
, 2SA1810B
, 2SA1810C
, 2SA1811
, 2SA1815
, 2SA1815-3
, 2SA1815-4
.
