2N3714SM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N3714SM  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO252

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N3714SM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N3714SM даташит

 0.1. Size:10K  semelab
 2n3714smd.pdf pdf_icon

2N3714SM

2N3714SMD Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 0.89 (0.035) min. Ceramic Surface Mount 3.70 (0.146) 3.70 (0.146) 3.60 (0.142) 3.41 (0.134) 3.41 (0.134) Max. Package for High Reliability Applications 1 3 Bipolar NPN Device. 2 VCEO = 80V IC = 10A 9.67 (0.381) All Semelab hermetically sealed products 9.38 (0.369) 0.50 (0.020) 0.26 (

 8.1. Size:88K  central
 2n3713 2n3714 2n3715 2n3716.pdf pdf_icon

2N3714SM

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 8.2. Size:172K  comset
 2n3713-2n3714-2n3715-2n3716-2n3789-2n3790-2n3791-2n3792.pdf pdf_icon

2N3714SM

2N3713/2N3714/2N3715/2N3716 - NPN 2N3789/2N3790/2N3791/2N3792 - PNP EPITAXIAL-BASE NPN - PNP The 2N3713, 2N3714, 2N3715 and 2N3716 are silicon epitaxial-base NPN power transistor in Jedec TO-3 metal case. They are inteded for use in power linear and switching applications. The complementary PNP types are 2N3789, 2N3790, 2N3791 and 2N3792 respectively. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Rat

 8.3. Size:183K  inchange semiconductor
 2n3714.pdf pdf_icon

2N3714SM

isc Silicon NPN Power Transistor 2N3714 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area Low Collector-Emitter Saturation Voltage 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for medium-speed switching and amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N3712, 2N3712S, 2N3713, 2N371-33, 2N3713HS, 2N3713SM, 2N3714, 2N3714HS, BD333, 2N3715, 2N3715HS, 2N3715SM, 2N3716, 2N3716HS, 2N3716SM, 2N3717, 2N3718