Справочник транзисторов. FXT649

 

Биполярный транзистор FXT649 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FXT649
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
 

 Аналог (замена) для FXT649

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FXT649 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:28K  diodes
 fxt649.pdf pdf_icon

FXT649

NPN SILICON PLANARFXT649MEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 1 FEB 94 T V I V i i I I TI i E-Line T T TO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I V

Другие транзисторы... FXT56SM , FXT601B , FXT601BSM , FXT603 , FXT603SM , FXT605 , FXT605SM , FXT614 , C1815 , FXT649SM , FXT651 , FXT651SM , FXT653 , FXT653SM , FXT655 , FXT655SM , FXT657 .

History: 2SA337

 

 
Back to Top

 


 
.