FXT649. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FXT649

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

 Аналоги (замена) для FXT649

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FXT649 даташит

 ..1. Size:28K  diodes
 fxt649.pdf pdf_icon

FXT649

NPN SILICON PLANAR FXT649 MEDIUM POWER TRANSISTOR ISSUE 1 FEB 94 T V I V i i I I TI i E-Line T T TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I V

Другие транзисторы: FXT56SM, FXT601B, FXT601BSM, FXT603, FXT603SM, FXT605, FXT605SM, FXT614, 2N2222, FXT649SM, FXT651, FXT651SM, FXT653, FXT653SM, FXT655, FXT655SM, FXT657