GBC109 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GBC109

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для GBC109

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GBC109 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GA52837, GA52996, GA53104, GA53149, GA53194, GA53213, GA53233, GA53270, 2N3055, GBD179, GBD189, GBD190, GBD266, GBD267, GBD645, GBD646, GC100