GBD179 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GBD179

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для GBD179

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GBD179 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GA52996, GA53104, GA53149, GA53194, GA53213, GA53233, GA53270, GBC109, BC548, GBD189, GBD190, GBD266, GBD267, GBD645, GBD646, GC100, GC101