GBD645 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры

   Наименование производителя: GBD645
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
   Корпус транзистора: TO220
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам