Биполярный транзистор GC111 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: GC111
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.07 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 25 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.125 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO5
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам