GC111 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GC111

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.07 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 25 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.125 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для GC111

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GC111 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GBD267, GBD645, GBD646, GC100, GC101, GC102, GC103, GC104, BC557, GC112, GC115, GC116, GC117, GC118, GC120, GC121, GC122