Справочник транзисторов. GC121

 

Биполярный транзистор GC121 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: GC121
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.07 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: TO5
 

 Аналог (замена) для GC121

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GC121 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:65K  infineon
sigc121t120r2cs.pdfpdf_icon

GC121

SIGC121T120R2CS IGBT Chip in NPT-technology FEATURES: 1200V NPT technology 175m chip This chip is used for: C low turn-off losses IGBT Modules short tail current positive temperature coefficient Applications: easy paralleling G drives, SMPS, resonant integrated gate resistor E applications Chip Type VCE ICn Die Size Package Ordering Code

 0.2. Size:65K  infineon
sigc121t120r2cl.pdfpdf_icon

GC121

SIGC121T120R2CL IGBT Chip in NPT-technology FEATURES: This chip is used for: C 1200V NPT technology power module 180m chip BSM75GD120DLC low turn-off losses positive temperature coefficient Applications: easy paralleling G drives E integrated gate resistor Chip Type VCE ICn Die Size Package Ordering Code Q67041-SIGC121T120R2CL

 0.3. Size:65K  infineon
sigc121t60nr2c.pdfpdf_icon

GC121

SIGC121T60NR2C IGBT Chip in NPT-technology FEATURES: This chip is used for: C 600V NPT technology 100m chip positive temperature coefficient IGBT Modules easy paralleling integrated gate resistor Applications: G drives E Chip Type VCE ICn Die Size Package Ordering Code Q67041-A4684-SIGC121T60NR2C 600V 150A 11 x 11 mm2 sawn on foil A001 MEC

 0.4. Size:64K  infineon
sigc121t120r2c.pdfpdf_icon

GC121

SIGC121T120R2CIGBT Chip in NPT-technologyFeatures: This chip is used for: 1200V NPT technology power moduleCBSM 75GD120DN2 low turn-off losses short tail currentApplications: positive temperature coefficient drives easy parallelingG integrated gate resistorEChip Type VCE IC Die Size PackageSIGC121T120R2C 1200V 75A 11.08 X 11.08 mm2 sawn o

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top

 


 
.