Биполярный транзистор GC121
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: GC121
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.07
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 90
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора:
TO5
Аналоги (замена) для GC121
GC121
Datasheet (PDF)
0.1. Size:65K infineon
sigc121t120r2cs.pdf SIGC121T120R2CS IGBT Chip in NPT-technology FEATURES: 1200V NPT technology 175m chip This chip is used for: C low turn-off losses IGBT Modules short tail current positive temperature coefficient Applications: easy paralleling G drives, SMPS, resonant integrated gate resistor E applications Chip Type VCE ICn Die Size Package Ordering Code
0.2. Size:65K infineon
sigc121t120r2cl.pdf SIGC121T120R2CL IGBT Chip in NPT-technology FEATURES: This chip is used for: C 1200V NPT technology power module 180m chip BSM75GD120DLC low turn-off losses positive temperature coefficient Applications: easy paralleling G drives E integrated gate resistor Chip Type VCE ICn Die Size Package Ordering Code Q67041-SIGC121T120R2CL
0.3. Size:65K infineon
sigc121t60nr2c.pdf SIGC121T60NR2C IGBT Chip in NPT-technology FEATURES: This chip is used for: C 600V NPT technology 100m chip positive temperature coefficient IGBT Modules easy paralleling integrated gate resistor Applications: G drives E Chip Type VCE ICn Die Size Package Ordering Code Q67041-A4684-SIGC121T60NR2C 600V 150A 11 x 11 mm2 sawn on foil A001 MEC
0.4. Size:64K infineon
sigc121t120r2c.pdf SIGC121T120R2CIGBT Chip in NPT-technologyFeatures: This chip is used for: 1200V NPT technology power moduleCBSM 75GD120DN2 low turn-off losses short tail currentApplications: positive temperature coefficient drives easy parallelingG integrated gate resistorEChip Type VCE IC Die Size PackageSIGC121T120R2C 1200V 75A 11.08 X 11.08 mm2 sawn o
Другие транзисторы... 2N3200
, 2N3201
, 2N3202
, 2N3203
, 2N3204
, 2N3205
, 2N3206
, 2N3207
, B772
, 2N3209
, 2N3209AQF
, 2N3209CSM
, 2N3209DCSM
, 2N3209L
, 2N321
, 2N3210
, 2N3211
.