GD114 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GD114  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 90 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TOP3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для GD114

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GD114 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GC526, GC527, GCN53, GCN54, GCN55, GCN56, GD100, GD110, BD222, GD115, GD120, GD125, GD130, GD133, GD134, GD135, GD142