GD135 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GD135  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 90 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TOP3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для GD135

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GD135 даташит

 0.1. Size:317K  ncepower
 nce25gd135t.pdf pdf_icon

GD135

Pb Free Product NCE25GD135T http //www.ncepower.com NCE25GD135T 1350V, 25A, Trench NPT IGBT Features Trench NPT( Non Punch Through) IGBT High speed switching Low saturation voltage VCE(sat)=2.0V@IC=25A High input impedance Applications Inductive heating, Microwave oven, Inverter, UPS, etc. Soft switching applications General Description Using advanced Tre

Другие транзисторы: GD110, GD114, GD115, GD120, GD125, GD130, GD133, GD134, 2N5551, GD142, GD150, GD151, GD152, GD160, GD160A, GD160B, GD160C