GD150 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GD150  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для GD150

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GD150 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GD115, GD120, GD125, GD130, GD133, GD134, GD135, GD142, C1815, GD151, GD152, GD160, GD160A, GD160B, GD160C, GD170, GD170A