GD160B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GD160B  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для GD160B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GD160B даташит

 9.1. Size:327K  gdr
 gd160 gd170 gd175 gd180 gd240 gd241 gd242 gd243 gd244.pdf pdf_icon

GD160B

Другие транзисторы: GD134, GD135, GD142, GD150, GD151, GD152, GD160, GD160A, C5198, GD160C, GD170, GD170A, GD170B, GD170C, GD175, GD175A, GD175B