Биполярный транзистор GD160B - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: GD160B
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: TO3
GD160B Datasheet (PDF)
Другие транзисторы... GD134 , GD135 , GD142 , GD150 , GD151 , GD152 , GD160 , GD160A , 2N3904 , GD160C , GD170 , GD170A , GD170B , GD170C , GD175 , GD175A , GD175B .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050