GD160C datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: GD160C 📄📄
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80
Корпус транзистора: TO3
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для GD160C
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
GD160C даташит
Другие транзисторы: GD135, GD142, GD150, GD151, GD152, GD160, GD160A, GD160B, BC337, GD170, GD170A, GD170B, GD170C, GD175, GD175A, GD175B, GD175C
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: BDX53BFI | NTE2341 | 2SC568M
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
ksa1381 equivalent | 2sa1306 | b817 transistor | 2n3394 | 2sb688 | 2sd551 | ac128 datasheet | 2n5496

