GD170B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GD170B

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 33 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для GD170B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GD170B даташит

 9.1. Size:145K  eupec
 bsm50gd170dl.pdf pdf_icon

GD170B

 9.2. Size:327K  gdr
 gd160 gd170 gd175 gd180 gd240 gd241 gd242 gd243 gd244.pdf pdf_icon

GD170B

 9.3. Size:957K  cn hunteck
 hgd170n10a hgi170n10a.pdf pdf_icon

GD170B

HGD170N10A , P-1 HGI170N10A 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching 16.2 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 39 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and High Speed Cir

 9.4. Size:958K  cn hunteck
 hgd170n10al hgi170n10al.pdf pdf_icon

GD170B

HGD170N10AL , P-1 HGI170N10AL 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 15 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 20 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 38.7 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification i

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: GD151, GD152, GD160, GD160A, GD160B, GD160C, GD170, GD170A, TIP122, GD170C, GD175, GD175A, GD175B, GD175C, GD180, GD180A, GD180B