Биполярный транзистор GD175C Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: GD175C
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор биполярного транзистора по параметрам