Справочник транзисторов. GD175C

 

Биполярный транзистор GD175C Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: GD175C
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для GD175C

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GD175C Datasheet (PDF)

 9.1. Size:888K  nxp
 pmgd175xn.pdf pdf_icon

GD175C

PMGD175XN30 V, dual N-channel Trench MOSFETRev. 1 1 June 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionDual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Very fast switching Trench MOSFET technology1.3 Applications

 9.2. Size:327K  gdr
 gd160 gd170 gd175 gd180 gd240 gd241 gd242 gd243 gd244.pdf pdf_icon

GD175C

Другие транзисторы... GD160C , GD170 , GD170A , GD170B , GD170C , GD175 , GD175A , GD175B , A1941 , GD180 , GD180A , GD180B , GD180C , GD183 , GD190 , GD191 , GD192 .

 

 
Back to Top

 


 
.