GD175C - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

GD175C - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: GD175C
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для GD175C

 

GD175C Datasheet (PDF)

 9.1. Size:888K  nxp
 pmgd175xn.pdf pdf_icon

GD175C

PMGD175XN 30 V, dual N-channel Trench MOSFET Rev. 1 1 June 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Very fast switching Trench MOSFET technology 1.3 Applications

 9.2. Size:327K  gdr
 gd160 gd170 gd175 gd180 gd240 gd241 gd242 gd243 gd244.pdf pdf_icon

GD175C

Другие транзисторы... GD160C , GD170 , GD170A , GD170B , GD170C , GD175 , GD175A , GD175B , D882 , GD180 , GD180A , GD180B , GD180C , GD183 , GD190 , GD191 , GD192 .

History: 2SD2017 | 2SC1618 | BCP53-10H | 2SC1597

 

 
Back to Top

 


 
.