GD191 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: GD191 📄📄
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80
Корпус транзистора: TO3
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для GD191
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
GD191 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: GD175B, GD175C, GD180, GD180A, GD180B, GD180C, GD183, GD190, 2N2222A, GD192, GD200, GD203, GD207, GD210, GD220, GD240, GD241
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: 2SA1507T | UN5110
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
3415 transistor | 072ne6pt | 2sd388 | 2sc1400 | 2sd331 | 2sc1312 datasheet | 2sb647 | k3561 transistor
