Биполярный транзистор GE10001 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: GE10001
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 325 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам