GE10003 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GE10003

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 325 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для GE10003

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GE10003 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GD608, GD609, GD617, GD618, GD619, GE10000, GE10001, GE10002, C3198, GE10004, GE10005, GE10006, GE10007, GE10008, GE10009, GE10015, GE10016