GE10004 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GE10004  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 450 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 325 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для GE10004

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GE10004 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GD609, GD617, GD618, GD619, GE10000, GE10001, GE10002, GE10003, 2SC945, GE10005, GE10006, GE10007, GE10008, GE10009, GE10015, GE10016, GE10020