GE5060 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GE5060

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для GE5060

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GE5060 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GE10009, GE10015, GE10016, GE10020, GE10021, GE10022, GE10023, GE-193, 2SD669A, GE5061, GE5062, GE55821, GE56551, GE6060, GE6061, GE6062, GE6251