Справочник транзисторов. 2N3733

 

Биполярный транзистор 2N3733 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N3733
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 23 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
   Корпус транзистора: TO62
 

 Аналог (замена) для 2N3733

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N3733 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:609K  microsemi
 2n3375 2n3632 2n3733.pdf pdf_icon

2N3733

 9.1. Size:317K  rca
 2n373 2n374 2n456 2n457 2n497 2n544 2n561 2n578 2n579 2n580.pdf pdf_icon

2N3733

 9.2. Size:17K  semelab
 2n3738.pdf pdf_icon

2N3733

2N3738MECHANICAL DATAPOWER TRANSISTORSDimensions in mmNPN SILICON6.35 (0.250)8.64 (0.340)3.68(0.145) rad.3.61 (0.142)max.4.08(0.161)rad.1 2FEATURES Hermetically Packaged. Low Saturation Voltage High Gain1.27 (0.050)1.91 (0.750)4.83 (0.190)5.33 (0.210)9.14 (0.360)min.TO66 Package (TO-213AA)Pin 1 = Base Pin 2 = Emitter Case = CollectorA

 9.3. Size:18K  semelab
 2n3735csm4.pdf pdf_icon

2N3733

2N3735CSM4Medium Current NPN Silicon AnnularTransistors Designed for High-SpeedSwitching and Driver Applications in aCeramic Surface Mount PackageMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)1.40 0.155.59 0.13(0.055 0.006)(0.22 0.005)0.25 0.03(0.01 0.001)FEATURES0.23rad.(0.009) High Voltage3 2 Ceramic Surface Mount Package0.234 1min

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3726 , 2N3727 , 2N3728 , 2N3729 , 2N373 , 2N3730 , 2N3731 , 2N3732 , BC548 , 2N373-33 , 2N3734 , 2N3734A , 2N3734S , 2N3735 , 2N3735S , 2N3736 , 2N3736A .

History: BU931SM | 2SC2129

 

 
Back to Top

 


 
.