Справочник транзисторов. 2N3733

 

Биполярный транзистор 2N3733 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N3733
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 23 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
   Корпус транзистора: TO62
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2N3733 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:609K  microsemi
2n3375 2n3632 2n3733.pdfpdf_icon

2N3733

 9.2. Size:17K  semelab
2n3738.pdfpdf_icon

2N3733

2N3738MECHANICAL DATAPOWER TRANSISTORSDimensions in mmNPN SILICON6.35 (0.250)8.64 (0.340)3.68(0.145) rad.3.61 (0.142)max.4.08(0.161)rad.1 2FEATURES Hermetically Packaged. Low Saturation Voltage High Gain1.27 (0.050)1.91 (0.750)4.83 (0.190)5.33 (0.210)9.14 (0.360)min.TO66 Package (TO-213AA)Pin 1 = Base Pin 2 = Emitter Case = CollectorA

 9.3. Size:18K  semelab
2n3735csm4.pdfpdf_icon

2N3733

2N3735CSM4Medium Current NPN Silicon AnnularTransistors Designed for High-SpeedSwitching and Driver Applications in aCeramic Surface Mount PackageMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)1.40 0.155.59 0.13(0.055 0.006)(0.22 0.005)0.25 0.03(0.01 0.001)FEATURES0.23rad.(0.009) High Voltage3 2 Ceramic Surface Mount Package0.234 1min

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top

 


 
.