GES3567 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GES3567

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO236

 Аналоги (замена) для GES3567

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GES3567 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GES3495, GES3496, GES3497, GES3499, GES3563, GES3564, GES3565, GES3566, 2SC2655, GES3568, GES3569, GES3634, GES3635, GES3636, GES3637, GES3638, GES3638A