GES3636. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GES3636

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 175 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 175 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для GES3636

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GES3636 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GES3564, GES3565, GES3566, GES3567, GES3568, GES3569, GES3634, GES3635, 2222A, GES3637, GES3638, GES3638A, GES3639, GES3640, GES3641, GES3642, GES3643