GES3646. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GES3646

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 350 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO236

 Аналоги (замена) для GES3646

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GES3646 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GES3638A, GES3639, GES3640, GES3641, GES3642, GES3643, GES3644, GES3645, 2SD669, GES3691, GES3692, GES3693, GES3694, GES3721, GES3742, GES3743, GES3900