2N3740A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N3740A  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO66

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N3740A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N3740A даташит

 ..1. Size:62K  microsemi
2n3740a.pdfpdf_icon

2N3740A

7516 Central Industrial Drive Riviera Beach, Florida 33404 PHONE (561) 842-0305 FAX (561) 845-7813 2N3740A APPLICATIONS Drivers Switches Medium-Power Amplifiers FEATURES Medium Power Low Saturation Voltage 0.6 VCE(sat) @ IC = 1.0 Amp High Gain Characteristics hFE @ IC = 250 mA 30-100 PNP Transistors Excellent Safe Area Limits Low Collector Cuto

 ..2. Size:221K  inchange semiconductor
2n3740a.pdfpdf_icon

2N3740A

isc Silicon PNP Power Transistor 2N3740A DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V =-60V(Min) CEO Minimum Lot-to-Lot variations for robust device Performance and reliable operation APPLICATIONS Power amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) UNI SYMBOL PARAMETER VALUE T V Collector-Base Voltage -60 V CBO V Collector-Emitter Voltage -

 8.1. Size:10K  semelab
2n3740r.pdfpdf_icon

2N3740A

2N3740R Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 6.35 (0.250) Metal Package. 8.64 (0.340) 3.68 (0.145) rad. 3.61 (0.142) max. 4.08(0.161) rad. Bipolar PNP Device. 1 2 VCEO = 60V IC = 4A All Semelab hermetically sealed products can be processed in accordance with the requirements of BS, CECC and JAN, JANTX, JANTXV and JANS speci

 8.2. Size:62K  microsemi
2n3740.pdfpdf_icon

2N3740A

7516 Central Industrial Drive Riviera Beach, Florida 33404 PHONE (561) 842-0305 FAX (561) 845-7813 2N3740 APPLICATIONS Drivers Switches Medium-Power Amplifiers FEATURES Medium Power Low Saturation Voltage 0.6 VCE(sat) @ IC = 1.0 Amp High Gain Characteristics hFE @ IC = 250 mA 30-100 PNP Transistors Excellent Safe Area Limits Complementary to NP

Другие транзисторы: 2N3736, 2N3736A, 2N3737, 2N3737A, 2N3738, 2N3739, 2N374, 2N3740, 2SC1815, 2N3740AR, 2N3741, 2N3741A, 2N3741R, 2N3742, 2N3742S, 2N3743, 2N3743S