GES5087. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GES5087

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 250

Корпус транзистора: TO236

 Аналоги (замена) для GES5087

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GES5087 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GES4926, GES4927, GES4928, GES4929, GES4930, GES4931, GES4964, GES4965, BC558, GES5088, GES5089, GES5127, GES5128, GES5129, GES5130, GES5131, GES5132