Биполярный транзистор GES5141 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: GES5141
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 6 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 6 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO236
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам