GES5141. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GES5141

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 6 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 6 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO236

 Аналоги (замена) для GES5141

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GES5141 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GES5132, GES5133, GES5135, GES5136, GES5137, GES5138, GES5139, GES5140, D880, GES5142, GES5143, GES5172, GES5179, GES5305, GES5306, GES5306A, GES5307