GES5179. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GES5179

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 900 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO236

 Аналоги (замена) для GES5179

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GES5179 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GES5137, GES5138, GES5139, GES5140, GES5141, GES5142, GES5143, GES5172, 2222A, GES5305, GES5306, GES5306A, GES5307, GES5308, GES5308A, GES5368, GES5369