GES5401R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GES5401R

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для GES5401R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GES5401R даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GES5371, GES5372, GES5373, GES5374, GES5375, GES5400, GES5400R, GES5401, 431, GES5447, GES5448, GES5449, GES5450, GES5451, GES5550, GES5550R, GES5551