Справочник транзисторов. GES5812

 

Биполярный транзистор GES5812 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: GES5812
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.75 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для GES5812

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GES5812 Datasheet (PDF)

NO PDF!

Другие транзисторы... GES5450 , GES5451 , GES5550 , GES5550R , GES5551 , GES5551R , GES5810 , GES5811 , 2SC5200 , GES5813 , GES5814 , GES5815 , GES5816 , GES5817 , GES5818 , GES5819 , GES5820 .

History: MJE13003VG1

 

 
Back to Top

 


 
.