GES5816. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GES5816

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.75 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO236

 Аналоги (замена) для GES5816

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GES5816 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GES5551, GES5551R, GES5810, GES5811, GES5812, GES5813, GES5814, GES5815, BD139, GES5817, GES5818, GES5819, GES5820, GES5822, GES5823, GES5824, GES5825