GES5817. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GES5817

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.75 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 16 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для GES5817

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GES5817 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GES5551R, GES5810, GES5811, GES5812, GES5813, GES5814, GES5815, GES5816, 2N3904, GES5818, GES5819, GES5820, GES5822, GES5823, GES5824, GES5825, GES5826