GES5819. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GES5819

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.75 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 16 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 150

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для GES5819

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GES5819 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GES5811, GES5812, GES5813, GES5814, GES5815, GES5816, GES5817, GES5818, 2N5551, GES5820, GES5822, GES5823, GES5824, GES5825, GES5826, GES5827, GES5827A