GES5855. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GES5855

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO236

 Аналоги (замена) для GES5855

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GES5855 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GES5823, GES5824, GES5825, GES5826, GES5827, GES5827A, GES5828, GES5828A, TIP122, GES5856, GES5857, GES5858, GES5910, GES6000, GES6001, GES6002, GES6003