GES5858. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GES5858

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO236

 Аналоги (замена) для GES5858

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GES5858 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GES5826, GES5827, GES5827A, GES5828, GES5828A, GES5855, GES5856, GES5857, BD140, GES5910, GES6000, GES6001, GES6002, GES6003, GES6004, GES6005, GES6006