GS2013 - описание и поиск аналогов

 

GS2013 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: GS2013
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для GS2013

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GS2013 - технические параметры

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы... GS112C , GS112D , GS112E , GS121B , GS121C , GS121D , GS122 , GS2012 , S8050 , GS2014 , GS2017 , GS2017A , GS2052 , GS8050T , GS8550T , GS9010 , GS9011 .

 

 
Back to Top

 


 
.