GS8050T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GS8050T  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 9 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 45

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для GS8050T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GS8050T даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GS121D, GS122, GS2012, GS2013, GS2014, GS2017, GS2017A, GS2052, D882, GS8550T, GS9010, GS9011, GS9011D, GS9011E, GS9011F, GS9011G, GS9011H