GS8550T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GS8550T

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 9 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 45

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для GS8550T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GS8550T даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GS122, GS2012, GS2013, GS2014, GS2017, GS2017A, GS2052, GS8050T, TIP3055, GS9010, GS9011, GS9011D, GS9011E, GS9011F, GS9011G, GS9011H, GS9011I